Баку, 21 мая (АЗЕРТАДЖ). Группа исследователей обнародовала подробности о новой технологии, открывающей путь к принципиально новой компьютерной памяти. Устройство под названием "мемристор" в теории было разработано уже достаточно давно, однако лишь недавно его удалось воплотить на практике. Электронная структура мемристора делает его подходящим как для производительных вычислений, так и для нового поколения более плотной цифровой памяти.

Сейчас европейские исследователи говорят, что они научились производить мемристоры значительно более дешевым способом и при использовании нынешних полупроводниковых технологий.

Первый прототип рабочего мемристора был представлен еще в 2008 году, причем практическое воплощение этой разработки заняло целых 37 лет. Само название мемристор происходит от английских memory и resistor, так как сопротивление этого компонента меняется в зависимости от того, какое напряжение проходит через данный компонент. Причем свое электронное положение мемристор запоминает даже тогда, когда через него не проходит электрический ток.

Инженеры говорят, что память на основе мемристоров способна обладать скоростью современной DRAM-памяти и энергонезависимостью флеш-памяти. Таким образом, новая память может заменить оба данных направления. "Мы достигаем лимитов, когда флеш-память уже не может быть более емкой и плотной, кроме того, она не может быть более быстрой", - говорит Энтони Кеньон из Университетского колледжа в Лондоне.

По его словам, исследователи сейчас работают над тем, чтобы вывести мемристоры из лабораторий в реальные устройства. Компания Hewlett-Packard, чьи инженеры были пионерами в области мемристоров, уже заявила, что в будущем представит решения на основе мемристоров.

Нынешние версии мемристоров базируются на дорогих экзотических материалах, тогда как новые разработки, проводимые в данной области, в недалеком будущем позволят создавать мемристоры из кремниевых соединений, что позволит проще их интегрировать в существующие микросхемы. Уже сейчас группа исследователей в Лондоне ведет разработку решений на базе оксида кремния, которые ведут себя подобно мемристорам.

Кеньон говорит, что как только готовый образец мемристора из привычных для сегодняшней схемотехники соединений будет создан, данная технология тут же пойдет в массы.