Реализована инновационная программа по созданию новых материалов и приборных структур
Баку, 19 ноября, АЗЕРТАДЖ
На очередном заседании Президиума Национальной Академии наук Азербайджана (НАНА) был заслушан доклад директора Института физики, члена-корреспондента НАНА Назима Мамедова и заместителя директора по инновациям и трансферу иститута, доктора физических наук Аяза Байрамова на тему “Развитие в Институте физики НАНА передовых тонкопленочных технологий”.
Как сообщили АЗЕРТАДЖ в отделе по связям с общественностью Управления по связям с общественностью и популяризации науки Центрального Аппарата Президиума НАНА, А.Байрамов отметил, что в последние несколько лет были проделаны важные работы в сфере создания современной испытательной, теоретической и технической базы института, реализации инновационной программы по созданию новых материалов и приборных структур для высоких технологий. Ведущиеся в рамках этой программы научные иследования относятся к областям нанотехнологий и основывающихся на них информационных технологий, а также возобновляемых источников энергии. Перечисленные проблемы были включены руководством республики в ряд приоритетных направлений развития республики.
Было отмечено, что работы проводятся при материальной поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики в рамках Пилотного проекта. В результате этого проекта в институте был создан Инновационный сектор, отвечающий мировым стандартам и оснащенный самым современным технологическим и исследовательским оборудованием.
А.Байрамов также проинформировал о тонкопленочных полупроводниковых материалах, несколько лет назад полученных сотрудниками Инновационного сектора, и о перспективах создания на их основе высокоэффективных солнечных элементов. Он подчеркнул, что в секторе совместно с Парижским институтом фотовольтаики (İRDEP, Франция) и Технологическим институтом Чиба, (Япония) проводятся исследования в области создания CdTe солнечных элементов “субстратной конфигурации” нового типа. Эти исследования направлены на серьезное уменьшение себестоимости тонкопленочных солнечных элементов путем уменьшения толщины слоев CdTe (1-2 мкм), использования дешевого стекла, а также упрощенного омического контакта.
После продолжительных дискуссий доклад был одобрен постановлением Президиума.
Другие новости раздела
