В Баку завершилось годовое заседание Ученого совета Международной ассоциации академий наук
Баку, 11 октября (АЗЕРТАДЖ). 11 октября в Институте физики Национальной Академии наук Азербайджана (НАНА) продолжалось годовое заседание отделения по проблемам функциональных материалов электронной техники Ученого совета Международной ассоциации академий наук.
Как сообщает АЗЕРТАДЖ, на научной сессии на тему «Композитные материалы и полупроводники для фотоэлектроники» с докладами выступили ученые из Азербайджана, России, Украины, Казахстана и Беларуси.
Доклад на тему «Фотолюминесценция в соединениях II-III2-IV4», совместно подготовленный ректором Национальной академии авиации Азербайджана (НААА), академиком Арифом Пашаевым, директором Научно-исследовательского института транспорта и аэрокосмическим проблемам НААА, членом-корреспондентом НАНА Бахадуром Тагиевым, сотрудником Института физики Национальной академии наук Беларуси, профессором Геннадием Яблонским, доцентом Бакинского филиала Московского государственного университета С.Абышевым, представил профессор Б.Тагиев.
Оратор сказал, что в Азербайджане хорошо развита сфера физики полупроводников, наши ученые в этой области всегда занимали ведущие позиции.
Рассказывая об успешной деятельности ученых в области физики полупроводников, важных достижениях, Б.Тагиев коснулся заслуг академика Арифа Пашаева в развитии этой сферы в Азербайджане, проведенных исследований.
Было отмечено, что Ариф Пашаев, основным направлением научных исследований которого являются физика и техника полупроводников, первым разработал научные основы методов бесконтактных измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов, и создал научные приборы, реализующие эти методы. Он создал физические основы бесконтактного исследования материалов в диапазонах высоких и сверхвысоких частот. За период в более чем 40 лет академик занимался развитием научных основ физики полупроводников бесконтактного контроля и направлений измерения, созданием новых направлений и их применением.
С докладом на тему «Новый класс активных диэлектрических материалов на основании нано- и микрофазовых полимерных композитов» в соавторстве с президентом НАНА, академиком Махмудом Керимовым, сотрудниками Института физики, профессором Мирзой Гурбановым и Азадом Байрамовым выступил профессор М.Гурбанов.
На сессии были заслушаны доклады казахстанского ученого Гурбангали Тыныштыкбаева, украинского физика Татьяны Крицской, состоялись обсуждения по докладам, были заданы вопросы, высказаны предложения.
Затем было принято решение годового заседания Ученого совета МААН. Очередное заседание Ученого совета состоится в Москве.
На этом проходящее в Баку годовое заседание отделения по проблемам функциональных материалов электронной техники Ученого совета Международной ассоциации академий наук завершилось.
Другие новости раздела
