МИР
Сверх эффективный транзистор на базе графеновой пленки
Баку, 18 мая (АЗЕРТАДЖ). Корейские и американские физики разработали графеновый транзистор с крайне низким током утечки, так называемый "барристор", и использовали его для создания нескольких простейших логических схем, реализующих операцию инвертирования и сложения, и опубликовали инструкцию по его изготовлению в статье в журнале Science.
Максимальная производительность обычных кремниевых интегральных схем и их графеновых "наследников" ограничивается так называемыми токами утечки - "несанкционированным" движением электронов через транзисторы в выключенном состоянии. Утечка электронов генерирует тепловую энергию и вынуждает инженеров увеличивать напряжение тока, что еще раз усиливает нагрев микросхемы. Дальнейшая миниатюризация кремниевых транзисторов крайне затруднена из-за роста токов утечки.
Группа физиков под руководством Хюн-чона Чхуна из Института технологий компании Самсунг в городе Йонъин (Корея) разработала новую модель графенового транзистора, лишенного этой проблемы, реализовав эффект так называемого "барьера Шотки" в графеновой электронике.
Барьером Шоттки называется особый феномен, возникающий при контакте полупроводника с пластинкой из некоторых металлов. Высокая электропроводность металла и относительно низкая проницаемость полупроводника создают особый барьер на границе контакта, "ускоряющий" движение электронов из полупроводника в металл и препятствующий обратному току электричества. Данное свойство широко используется при создании выпрямителей тока, диодов и некоторых электронных приборов.
Чхун и его коллеги заметили, что комбинация из графеновой пленки и полупроводника обладает свойствами барьера Шоттки с некоторыми дополнительными положительными эффектами, которые не возникают при использовании "обычных материалов". Они использовали открывшиеся им возможности для создания нового типа транзистора - графенового барристора.