DÜNYA
Dünyada ilk 5 nanometrlik tranzistor hazırlanıb
Bakı, 6 iyun, AZƏRTAC
ABŞ-ın “IBM” korporasiyası “GlobalFoundries” və Cənubi Koreyanın “Samsung” şirkəti ilə əməkdaşlıq çərçivəsində 5 nanometrlik (nm) mikrosxemlər üçün ilk tranzistor hazırlayıb.
AZƏRTAC “hitech.newsru.ru” saytına istinadən xəbər verir ki, yeni texnologiya insan dırnağı ölçüsündə olan çipdə 30 milyardadək tranzistor yerləşdirməyə və ondan ən müxtəlif qurğularda istifadəyə imkan verir.
Şirkətin məlumatına görə, mikrosxemdə yerləşdirilmiş tranzistorların daha yüksək sıxlığı onlar arasında ötürülən siqnalın sürətini artırır. “IBM” şirkətinin nümayəndələri qeyd ediblər ki, 5 nm-lik həllər indiki 10 nm-lik həllərdən 40 faiz daha məhsuldar və enerji cəhətdən 75 faiz səmərəlidir. Məsələn, smartfonlarda yeni çiplərin tətbiqi perspektivdə qurğuların avtonom işləmə vaxtını 2-3 dəfə artırmağa imkan verəcək.
Beş nm-lik çiplərin kütləvi istehsal tarixi dəqiq məlum deyil. Belə çiplərin 2020-ci ildə bazara çıxarılacağı təxmin edilir.